Развитие эпитаксиальной технологии

Развитие эпитаксиальной технологии

Микроэлектронное приборостроение как одно из основных направлений электроники, получило в последнее время широкое применение в народном хозяйстве. Поэтому резко возросла роль получения полупроводниковых соединений в виде монокристаллических пленок и слоев, т.е. роль различных технологических методов получения эпитаксиальных структур на основе полупроводниковых материалов. Известно, что развитие эпитаксиальной технологии получения полупроводниковых соединений позволило резко сократить отходы дорогостоящих полупроводниковых материалов. В связи с этим с точки зрения технологических и экономических соображений при получении эпитаксиальных структур важную роль играет выбор материалов подложки.

Экономическая сторона имеет большое значение в развитии микроэлектроники и технологии полупроводниковых приборов, применяемых в производстве крупных вычислительных машин. Экономическая сторона имеет большое значение в развитии микроэлектроники и технологии полупроводниковых приборов, применяемых в производстве крупных вычислительных машин.

Полупроводниковые материалы, применяемые в микроэлектронном приборостроении, должны удовлетворять трем основным требованиям: экономической целесообразности их применения, надежности, стойкости к большим плотностям тока.

1 звезда2 звезды3 звезды4 звезды5 звезд (Еще не оценили)
Загрузка ... Загрузка ...

Оставить комментарий

Почта (не публикуется) Обязательные поля помечены *

Вы можете использовать эти HTML теги и атрибуты: <a href="" title=""> <abbr title=""> <acronym title=""> <b> <blockquote cite=""> <cite> <code> <del datetime=""> <em> <i> <q cite=""> <strike> <strong>

Подтвердите, что Вы не бот — выберите самый большой кружок: